SK 海力士 (SK Hynix) 今天宣布推出基于 HBM3 内存的海力划明增强版：HBM3E，将数据传输速率提升 25%，士计升为人工智能和高性能计算提供助力。年推E内

HBM3E 内存主要面向的出H存带商用领域，SK 海力士将其数据传输速率从 6.4GT/s 提升到 8.0GT/s，点网这可以将带宽提升从 819.2GB/s 提升到 1TB/s，海力划明更快的士计升传输速率有助于提升高性能计算领域的性能，缩短时间。年推E内

当下 AI 热潮让 GPU 加速卡的出H存带内存不断提升，AI 模型训练时需要大量内存，点网理论上说内存容量越大、海力划明速度越快越好，士计升这让 SK 海力士有动力快速开发性能更好的年推E内技术。

技术细节方面，出H存带HBM3E 使用 SK 海力士 1b 制程生成 (SK 海力士第五代 10nm 节点)，点网1b 制程已经被 SK 海力士用于生产适用于英特尔至强可扩展平台的 DDR5-6400 内存，因此投产 HBM3E 内存对 SK 海力士来说应该不是难事。

SK 海力士称随着内存市场将在下半年开始复苏的预期越来越高，该公司相信他们领先的 DRAM 技术将帮助公司提高下半年的盈利。

根据 SK 海力士说明，HBM3E 内存将在 2024 年上市，那下半年应该就会试产，到年末开始量产并准备出货。